Leistungshalbleiter

Neue Wafer-Fab in Malaysia

Infineon investiert mehr als 2 Mrd. Euro für SiC und GaN

Mehr als 2 Mrd. Euro investiert Infineon in ein drittes Modul am Standort Kulim, Malaysia, vor allem für die Fertigung von Produkten auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Dadurch soll auch die Resilienz der Lieferkette bei Wide-Bandgap-Halbleitern gestärkt werden.

Europäische GaN-Foundry

BelGaN erwirbt belgische Wafer-Fab von onsemi

BelGaN hat die Waferfab von onsemi im belgischen Oudenaarde übernommen, um diese zu...

Cambridge GaN Devices

Rechenzentren mit Galliumnitrid »grüner« machen

Mit 400 TWh benötigen Rechenzentren etwa zwei Prozent des weltweit erzeugten...

Ausschließlich für Leistungshalbleiter

Toshiba baut neue 300-mm-Waferfab

Im März 2021 hatte Toshiba bereits den Bau einer neuen 300-mm-Waferfab angekündigt,...

Fuji Electric

Investitionen in die Produktion von SiC-Leistungshalbleitern

Um die Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern zu erhöhen, will Fuji Electric in seinen...

Themenwoche Leistungselektronik

Alle Beiträge im Überblick

Die Themenwoche »Leistungselektronik und Stromversorgung« liegt hinter uns. Hier finden...

Dr. Thomas Reisinger, Infineon Austria

»300 Millimeter is Coming Home«

Im September 2021 hat Infineon seine neue 300-mm-Waferfab in Villach eröffnet. Zu...

Prognosen von GaN Systems für 2022

Mit Galliumnitrid den Klimazielen näher kommen

Die Stromerzeugung ist für 43 Prozent der globalen Kohlendioxid-Emissionen...

GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafer

IVWorks übernimmt GaN-Wafertechnologie von Saint-Gobain

IVWorks hat das Geschäft und die Technologie von GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafern vom...

Applied Novel Devices

Silizium-MOSFETs mit GaN-Performance

Weil Silizium-MOSFETs üblicherweise eine sehr hohe Rückwärtserholung haben, schalten...